PECVD Siliziumnitrid-Technologie in multikristallinen Silizium-Solarzellen

Stipendiatin/Stipendiat: Martynas Cereska

Die Verwendung der Technologie von mit Plasma verstärktem Silicium Nitrid mit chemischer Dampfsedimentation (PECVD SiN) wurde in der Herstellung von multikristallinen Sonnenzellen in den letzten Jahren weitverbreitet. In dieser Arbeit war meine Ziel, die Sedimentationsparameter festzusetzen, die zu optimalen optischen Eigenschaften eines Films von Silicium Nitrid (SiN) für die Verwendung in Photovoltaik führen, und ihre Wirkungen auf die elektrischen Parameter von Sonnenzellen zu bewerten. Außerdem, wurden typische Teste durchgeführt, um die Filmqualität festzusetzen.Die Sedimentation wurde im industriellen Impuls-PECVD bei der Verwendung des Gasgemisches NH3/SiH4 herausbekommen.Die Entfernung von Plasma der bestgemachten SiN Filme aus multikristallinen Sonnenzellen erlaubt, die Passivierung des Emitters und ARC Effekte beim Elektrofunktionieren der Sonnenzelle zu betonen und zu bewerten.Zwei Type der PECVD Methoden werde verwendet:* Entfernte PECVD. In der entfernten PECVD wird ein Ammoniak- oder Stickstoff-Wasserstoffgemische außer der Sedimentationskammer erweckt und Silan wird in Plasma eingespritzt.* Direkte PECVD. In der direkten Methode werden alle Gase direkt zwischen zwei Elektroden eingeführt und Plasma wird vom elektromagnetischen Feld erweckt.

Förderzeitraum:
01.02.2011 - 31.01.2012

Institut:
Bayerisches Zentrum für
Angewandte Energieforschung e. V. (ZAE Bayern)
Abteilung Thermosensorik und Photovoltaik

Betreuer:
Richard Auer

E-Mail: E-Mail schreiben