Laserkristallisierte Silizium-Germanium-Schichten f\u00fcr D\u00fcnnschichtsolarzellenKristalline Silizium-Germanium (SiGe)-Legierungen k\u00f6nnen – neben anderen Anwendungen – ein guter Ersatz f\u00fcr die Silizium-Absorberschicht in D\u00fcnnschichtsolarzellen sein. Die erh\u00f6hte Absorption von SiGe im Vergleich zu Si macht SiGe zu einem vielversprechenden Material f\u00fcr die n\u00e4chste Generation Solarzellen, die h\u00f6chst wahrscheinlich auf der D\u00fcnnschichttechnologie basieren werden. D\u00fcnnschichtsolarzellen werden auf einem tragenden Substrat hergestellt und erfordern weniger als ein Zehntel des Materials, das in den Absorberschichten der Standardwafer-Solarzellentechnologie ben\u00f6tigt wird.Die Arbeit konzentriert sich auf die Eigenschaften von polykristallinen SiGe-D\u00fcnnschichten auf Glassubstrat, die mittels Excimerlaser hergestellt werden. Zahlreiche Charakterisierungsmethoden werden verwendet, um diese Schichten f\u00fcr Solarzellenanwendungen zu untersuchen, wie Rasterelektronenmikroskopie (REM), Kraftmikroskopie (AFM), Energiedispersive R\u00f6ntgenanalytik (EDX), Transmission-Reflexions-Messungen, Deflektionsspektroskopie (PDS), Elektronenspinresonanz (ESR), Photoluminiszenz und Hall-Effekt-Messungen.Geplant ist, die gewonnenen Erkenntnisse zum Bau einer Prototyp-Solarzelle zu nutzen.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
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