Laserkristallisierte Silizium-Germanium-Schichten f\u00fcr D\u00fcnnschichtsolarzellenKristalline Silizium-Germanium (SiGe)-Legierungen k\u00c3\u00b6nnen – neben anderen Anwendungen – ein guter Ersatz f\u00c3\u00bcr die Silizium-Absorberschicht in D\u00c3\u00bcnnschichtsolarzellen sein. Die erh\u00c3\u00b6hte Absorption von SiGe im Vergleich zu Si macht SiGe zu einem vielversprechenden Material f\u00c3\u00bcr die n\u00c3\u00a4chste Generation Solarzellen, die h\u00c3\u00b6chst wahrscheinlich auf der D\u00c3\u00bcnnschichttechnologie basieren werden. D\u00c3\u00bcnnschichtsolarzellen werden auf einem tragenden Substrat hergestellt und erfordern weniger als ein Zehntel des Materials, das in den Absorberschichten der Standardwafer-Solarzellentechnologie ben\u00c3\u00b6tigt wird.Die Arbeit konzentriert sich auf die Eigenschaften von polykristallinen SiGe-D\u00c3\u00bcnnschichten auf Glassubstrat, die mittels Excimerlaser hergestellt werden. Zahlreiche Charakterisierungsmethoden werden verwendet, um diese Schichten f\u00c3\u00bcr Solarzellenanwendungen zu untersuchen, wie Rasterelektronenmikroskopie (REM), Kraftmikroskopie (AFM), Energiedispersive R\u00c3\u00b6ntgenanalytik (EDX), Transmission-Reflexions-Messungen, Deflektionsspektroskopie (PDS), Elektronenspinresonanz (ESR), Photoluminiszenz und Hall-Effekt-Messungen.Geplant ist, die gewonnenen Erkenntnisse zum Bau einer Prototyp-Solarzelle zu nutzen.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
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