{"id":52848,"date":"2026-01-27T10:48:42","date_gmt":"2026-01-27T09:48:42","guid":{"rendered":"https:\/\/www.dbu.de\/promotionsstipendium\/20009-045\/"},"modified":"2026-01-27T10:48:43","modified_gmt":"2026-01-27T09:48:43","slug":"20009-045","status":"publish","type":"promotionsstipendium","link":"https:\/\/www.dbu.de\/en\/promotionsstipendium\/20009-045\/","title":{"rendered":"Entwicklung und Mikrostrukturcharakterisierung von Dickschichtkontakten f\u00fcr hocheffiziente Industriesolarzellen"},"content":{"rendered":"<p>Dickschichtkontakte f\u00fcr hocheffiziente IndustriesolarzellenWeltweit zunehmende Naturkatastrophen und der wachsende Mangel an fossilen Rohstoffen erfordern eine rasche energiepolitische Wende die auf den Einsatz \u201egr\u00fcner Technologien\u201c setzt, welche die unersch\u00f6pflichen und ausreichend vorhandenen erneuerbaren Energieressourcen unserer Erde nutzen. Der Photovoltaik kommt dabei eine wachsende Bedeutung zu, wobei die t\u00e4glich zur Erde gelangende Solarenergie auch das gr\u00f6\u00dfte Potential birgt und durch den photovoltaischen Effekt eine direkte Umwandlung der solaren Energiestrahlung in elektrische Energie m\u00f6glich ist. Bei weltweit stetig hohen j\u00e4hrlichen Zuwachsraten der Photovoltaik, ist Deutschland in der Produktion von Siliciumsolarzellen noch immer eine der f\u00fchrenden \u201eSolar-Nationen\u201c. Unter anderem durch das Fraunhofer-Institut f\u00fcr Solare Energiesysteme (ISE) \u2013 dem gr\u00f6\u00dften Solarforschungsinstitut in Europa \u2013 ist auch die deutsche Forschungslandschaft mit an der Spitze vertreten und beeinflusst noch immer die Entwicklung der Photovoltaik weltweit mit.Dabei werden mehr als 85% der weltweit produzierten Solarzellen mit Hilfe von Silber-Dickschichtkontakten auf der Vorderseite und Aluminium-Dickschichtkontakten auf der R\u00fcckseite der Solarzelle realisiert. Dieser Herstellungsprozess mittels Dickschicht-Metallisierungstechnologien wie z.B. dem Siebdruck ist aufgrund seiner Kosteneffizienz (hohe Durchsatzrate, relativ geringer Anzahl an Prozessschritten) und Robustheit in der industriellen Solarzellproduktion sehr verbreitet. Jedoch besitzt diese Art der Metall-Halbleiter-Kontakte im Vergleich zu mittels Hocheffizienztechnologien, wie z.B. dem Aufdampfen von Metallen und anschlie\u00dfender galvanischer Verst\u00e4rkung, erzeugten Metall-Halbleiter-Kontakten sowohl h\u00f6here spezifische Kontaktwiderst\u00e4nde (um bis zu 2 Gr\u00f6\u00dfenordnungen h\u00f6her) als auch h\u00f6here spezifische Leitungswiderst\u00e4nde (ca. um Faktor 2 \u2013 3 h\u00f6her). Dar\u00fcber hinaus induzieren diese Dickschichtkontakte durch Diffusionsprozesse von Verunreinigungen eine erh\u00f6hte Rekombinationsrate in der Raumladungszone (RLZ) der Solarzelle, wodurch die Dunkels\u00e4ttigungsstromdichte der Raumladungszone j02 erh\u00f6ht und letztendlich die Effizienz der industriellen Siliciumsolarzelle begrenzt wird. Vor allem letzterer Verlustmechanismus ist bisher physikalisch noch nicht erkl\u00e4rbar. Die qualitative und quantitative Verifizierung j02-bedingter Effizienzverluste und eine damit verbundene Prozessoptimierung ist also Hauptbestandteil dieses Forschungsvorhabens.Durch intensive Mikrostrukturanalysen und elektrische Charakterisierungen (sowohl experimentell als auch durch Simulation) der im Rahmen dieser Arbeit hergestellten Kontakte, sollen die Mechanismen der Kontaktbildungsprozesse \u2013 insbesondere in Bezug auf j02 \u2013 hinreichend aufgekl\u00e4rt, bereits existierende Kontaktmodelle verifiziert und erweitert oder gegebenenfalls neue Modelle erarbeitet werden. Hierbei sollen jedoch sowohl die Auswirkungen vorangestellter als auch nachfolgender Prozessschritte auf den Kontaktbildungsprozess untersucht werden. Aus den neu gewonnen Erkenntnissen soll eine Optimierung der Prozessschritte hinsichtlich minimierter spezifischer Kontaktwiderst\u00e4nde und Rekombinationsstromdichten der Raumladungszone erfolgen, um dadurch optimierte Solarzellen mit erh\u00f6htem Wirkungsgrad herstellen zu k\u00f6nnen. Die M\u00f6glichkeit einen erfolgreich optimierten Prozess in die Industrie zu \u00fcberf\u00fchren ist also im Sinne dieser Promotionsarbeit. Die Vorraussetzungen zum Erreichen dieses Zieles sind durch die ausgezeichneten Forschungsbedingungen am Fraunhofer ISE, unter anderen durch die hochmoderne Produktionslinie und innovative Charakterisierungsverfahren im Photovoltaik-Technologie Evaluationscenter (PV-TEC), gegeben. Im bisherigen Verlauf der Promotion wurden zun\u00e4chst sehr gute theoretische und praktische Kenntnisse f\u00fcr die elektrische (makroskopische) und mikroskopische Analyse von Dickschichtkontakten f\u00fcr industrielle Silicium-Solarzellen erworben. Abgesehen von ersten Untersuchungen hinsichtlich des (spezifischen) Kontaktwiderstandes siebgedruckter Vorderseiten-Silberkontakte, fand eine Fokussierung auf die Analyse der Rekombinationsverluste der Raumladungszone in Bezug auf den Vorderseiten-Metallisierungsgrad dieser Kontakte statt. Dies erfolgte, um Paralleluntersuchungen mit anderen Wissenschaftlern weitestgehend zu vermeiden und Raum f\u00fcr (um j02) erweiterte Kontaktbildungsmodelle zu schaffen. Hierbei konnte zun\u00e4chst eine spezielle Teststruktur entwickelt werden, mit der eine weniger Serienwiderstands-sensitive Evaluation der RLZ-Rekombinationsverluste von Dickschicht-Vorderseitenkontakten m\u00f6glich ist. Die Entwicklung dieser Teststruktur und somit verbesserten Messmethode war Gegenstand einer ersten Publikation und diente der Erkenntniserlangung erster j02-Abh\u00e4ngigkeiten von verschiedenen Prozessparametern. So konnte gezeigt werden, dass bei zunehmenden Vorderseiten-Metallisierungsgrad j02 bzw. die damit verbundenen F\u00fcllfaktorverluste FF0-pFF linear zunehmen und die Spannung linear abnimmt. Der Einfluss des verwendeten Emitters und der verwendeten Siebdruckpaste konnte dabei ebenfalls quantitativ nachgewiesen werden. Au\u00dferdem konnten einzelne, g\u00e4ngige Bestandteile von Siebdruckpasten und Aerosoltinten als erhebliche j02-Verursacher identifiziert werden. Einige, erste Mikrostrukturanalysen zielten unter anderem darauf ab die reduzierende Wirkung eines kurzen Ag-LIP Schrittes (Light Induced Plating) auf den (spezifischen) Kontaktwiderstand nach Kontaktfeuern nachzuweisen. Hierzu sind jedoch weitere Untersuchungen n\u00f6tig. Desweiteren stehen nun zahlreiche Probens\u00e4tze, welche viele verschiedene Prozessparameter abdecken, f\u00fcr umfangreiche Mikrostrukturuntersuchungen mittels zahlreicher (teils hochaufl\u00f6sender) Analyseverfahren zur Verf\u00fcgung. Die Ergebnisse dieser Mikro-strukturanalysen sollen letztlich der Bildung erster Teil-Strukturmodelle f\u00fcr den stromf\u00fchrenden Kontakt dienen. Durch iterativ aufbauende Mikrostrukturanalysen und Prozessparameteranpassungen, wird so eine Optimierung von Dickschichtkontakte f\u00fcr hocheffiziente Industriesolarzellen verfolgt.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Dickschichtkontakte f\u00fcr hocheffiziente IndustriesolarzellenWeltweit zunehmende Naturkatastrophen und der wachsende Mangel an fossilen Rohstoffen erfordern eine rasche energiepolitische Wende die auf den Einsatz \u201egr\u00fcner Technologien\u201c setzt, welche die unersch\u00f6pflichen und ausreichend vorhandenen erneuerbaren Energieressourcen unserer Erde nutzen. Der Photovoltaik kommt dabei eine wachsende Bedeutung zu, wobei die t\u00e4glich zur Erde gelangende Solarenergie auch das gr\u00f6\u00dfte Potential [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"template":"","meta":{"footnotes":""},"categories":[],"tags":[2477],"class_list":["post-52848","promotionsstipendium","type-promotionsstipendium","status-publish","hentry","tag-deutschland"],"meta_box":{"dbu_stipendiaten_az":"20009\/045","dbu_stipendiaten_anrede":"","dbu_stipendiaten_nachname":"H\u00f6nig","dbu_stipendiaten_vorname":"Ren\u00e9","dbu_stipendiaten_titel":"Dr.","dbu_stipendiaten_fbeginn":"2010-01-01 00:00:00","dbu_stipendiaten_fende":"2012-12-31 00:00:00","dbu_stipendiaten_e_anschrif":"Albert-Ludwigs-Universit\u00e4t Freiburg<br>Institut f\u00fcr Mikrosystemtechnik IMTEK<br>Professur f\u00fcr Aufbau- u. Verbindungstechnik","dbu_stipendiaten_betreuer":"Prof. Dr. J\u00fcrgen Wilde","dbu_stipendiaten_email_dienst":"rene.hoenig@googlemail.com"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.dbu.de\/en\/wp-json\/wp\/v2\/promotionsstipendium\/52848","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.dbu.de\/en\/wp-json\/wp\/v2\/promotionsstipendium"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.dbu.de\/en\/wp-json\/wp\/v2\/types\/promotionsstipendium"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.dbu.de\/en\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.dbu.de\/en\/wp-json\/wp\/v2\/promotionsstipendium\/52848\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":58860,"href":"https:\/\/www.dbu.de\/en\/wp-json\/wp\/v2\/promotionsstipendium\/52848\/revisions\/58860"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.dbu.de\/en\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=52848"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.dbu.de\/en\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=52848"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.dbu.de\/en\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=52848"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}